MOSFETÀº Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor(±Ý¼Ó-»êȹ°-¹ÝµµÃ¼ Àü°è È¿°ú Æ®·£Áö½ºÅÍ)ÀÇ ¾àÀÚ·Î Àü°è È¿°ú Æ®·£Áö½ºÅÍ(FET)¿¡¼ Áß¿äÇÑ ºÎºÐ Áß Çϳª´Ù. Àü¾Ð Á¦¾îÇü ¹ÝµµÃ¼ ºÎÇ°¿¡ ¼ÓÇϸç, ³·Àº Àü·Â ¼Ò¸ð, ³ôÀº ÀÛ¾÷ ÁÖÆļö, ÀÔ·Â ÀÓÇÇ´ø½º µîÀÇ ÀåÁ¡À» °®°í ÀÖ´Ù.
<»óÇ°¸í ¹× HS ÄÚµå>
»óÇ°¸í
| HS CODE
|
MOSFET
| 8541.29
|
[ÀÚ·á: HS ÄÚµå¸Á]
MOSFET ¼¼ºÐ ½ÃÀå¿¡¼ MOSFETÀº ÀÛ¾÷ Àü¾Ð¿¡ µû¶ó 400V¸¦ ±âÁØÀ¸·Î °í¾Ð MOSFET¿Í ÁßÀú¾Ð MOSFET·Î ³ª´ ¼ö ÀÖÀ¸¸ç, ºÎÇ° ±¸Á¶¿¡ µû¶ó Æò¸é MOSFET, Æ®·»Ä¡(Trench) MOSFET, ÃÊÁ¢ÇÕ(Super-Junction) MOSFET µîÀ¸·Î ³ª´ ¼ö ÀÖ´Ù.
<MOSFET Á¦Ç° ºÐ·ù>
Ç׸ñ
| Æò¸é MOSFET
| Æ®·»Ä¡(Trench) MOSFET
| ÃÊÁ¢ÇÕ(Super-Junction) MOSFET
|
Àü¾Ð ¹üÀ§
| Àü¾Ð ¹üÀ§°¡ ³Ð¾î 30V¿¡¼ 1700V±îÁöÀÇ Àü¾Ð ±¸°£À» ¼ö¿ë °¡´É. ÁßÀú¾Ð, °í¾Ð, ÃÊ°í¾ÐÀÇ ¼¼ °¡Áö Àü¾Ð ±¸°£À¸·Î ³ª´ ¼ö ÀÖÀ½
| Àü¾Ð ¹üÀ§´Â 10V¿¡¼ 300V±îÁö¸ç ÁÖ·Î ÁßÀú¾Ð ±¸°£À» ¼ö¿ë
| Àü¾Ð ¹üÀ§´Â 400V¿¡¼ 1000V±îÁöÀ̸ç ÁÖ·Î °í¾Ð ±¸°£À» ¼ö¿ë
|
Àü·ù ¹üÀ§
| (ÁßÀú¾Ð) 0.1A~200A
(°í¾Ð) 0.1A~50A
(ÃÊ°í¾Ð) 0.1A~20A
|
5A~450A
|
5A~120A
|
Ư¡
| ³»¾Ð ¹üÀ§°¡ ³Ð°í ±¸µ¿ÀÌ ¿ëÀÌ
| ³»¾ÐÀÌ ³·°í ÀÛ¾÷ ÁÖÆļö ³ôÀ½
| ³»¾ÐÀÌ ³ô°í ÀÛ¾÷ ÁÖÆļö ³ôÀ½
|
[ÀÚ·á: °ü¿¬º¸°í(观研报ͱ)]
»ê¾÷ °¡Ä¡»ç½½
MOSFET »ê¾÷ÀÇ °¡Ä¡»ç½½ »ó·ù´Â ¿øÀÚÀç ¹× »ý»ê ¼³ºñ(½Ç¸®ÄÜ ¿þÀÌÆÛ, Æ÷Åä·¹Áö½ºÆ®, ±Ý¼Ó Àç·á, ±¤°¢±â, Å×½ºÆ® ¼³ºñ µî)¸¦ Ãë±ÞÇÏ´Â ¾÷üµé·Î ±¸¼ºµÇ¸ç, Áß·ù´Â MOSFET ¼³°è, Á¦Á¶, ÆÐŰ¡ ¹× Å×½ºÆ®È¸»ç, ÇÏ·ù´Â ³×Æ®¿öÅ© Åë½Å, ¼ÒºñÀÚ ÀüÀÚÁ¦Ç°, ÀÚµ¿Â÷ ÀüÀÚÁ¦Ç° µî MOSFET Á¦Ç°À» È°¿ëÇÏ´Â ¾÷üµéÀÌ ±¤¹üÀ§ÇÏ°Ô Æ÷ÇԵȴÙ.
<Áß±¹ MOSFET »ê¾÷ °¡Ä¡»ç½½>
[ÀÚ·á: Ä¡¿£ÀÜ»ê¾÷¿¬±¸¿ø(îñô×产业研ϼêÂ)]
½ÃÀå µ¿Çâ
ÃÖ±Ù ¸î ³â°£ ±Û·Î¹ú MOSFET ½ÃÀå ±Ô¸ð´Â ²ÙÁØÈ÷ »ó½ÂÇÏ°í ÀÖ´Ù. Áß»ó»ê¾÷¿¬±¸¿ø ÀÚ·á¿¡ µû¸£¸é 2022³â ±Û·Î¹ú MOSFET ½ÃÀå ±Ô¸ð´Â 129¾ï6000¸¸ ´Þ·¯·Î Àü³â ´ëºñ 14.5% Áõ°¡Çß´Ù. 2023³â ½ÃÀå ±Ô¸ð´Â 133¾ï9000¸¸ ´Þ·¯, 2024³â¿¡´Â 156¾ï5000¸¸ ´Þ·¯¿¡ ´ÞÇÒ °ÍÀ¸·Î Àü¸ÁµÈ´Ù.